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電子負荷としてMOS-FETを使ったものをテストします。MOS-FETは、秋月電子で1パック5個入りで300円のSUP85N15-21を使用してみます。
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電子負荷の仕様は、16V程度を5Aまでとします。
SUP85N15-21は、データシートによると150V85Aで許容損失は300Wとなっています。話、3分の1としても十分です。

でも、このFETって、TO-220パッケージなんですよ。TO-3Pタイプなら100W超えも良く見るのですが、TO-220で300Wって本当かいな？。心配なんで2個を並列動作させます。

いずれにしろ、==60W==80W程度の廃熱が必要になるのでちゃんとしたヒートシンクをつけます。

%%%このMOS FETは、最近多く出回っている4V程度でONになるタイプじゃないようです。データシートからもわかりますが、6V以上のVGSが必要となるようです。（2007-11-26追記）%%%

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ファンも付いてます。intel純正です。
もともとのCPUが何だったは、わかりませんが、30〜40Wの熱容量のCPUに使われていたものだと思いますので、長時間使わなければ大丈夫でしょう。

で、・・・テスト中のお約束。
火花とともに立ち上る煙。テスターリードの先端が変色して焦げてしまいました。FETは、2個ともソース・ドレイン間がショートモードでブチ壊れています。
""このテスターリードは、三和の製品なんですが、先端が形状記憶合金になっていてブレットボードにも直接させるので便利です。

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FETが壊れた原因は良くわかりません。^^;
ラジコンバッテリーの充電に使っている安定化電源（DM-330MV：最大32A）をテスト電源としたのでフルパワーがかかったときに壊れたのだと思いますが、スペック的には問題ないはずなんですがね。
%%%電流検出抵抗として、最初は1Ωのセメント抵抗を使っていましたが、発熱が気になるので、途中で0.1Ωのセメント抵抗に変えたときにFETが壊れています。要は電流制限抵抗が小さくなったために過大な電流が瞬間的に流れたのだと思います。（2007-11-26追記）%%%

{{image DSC01068.jpg,,,size:50%}}

結局、3個のFETが壊れました。パワーMOS-FETって大電力扱うので丈夫そうに見えるけど割かし簡単に壊れます。←使い方がシロートなんでね→自分。

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これがテストに使った回路図です。FETの並列が悪いのかな？。
テスト中には、片方のFETのみがかなり熱を発生させます。バランスが取れていない感じです。

ちゃんとした書籍で勉強せねばいけませんね。