スイッチング用のMOSFETでHF帯のリニアアンプを作ろうといろいろと試しています。ネットの情報を参考にIOR（International Rectifire社　→　infineon社）のIRFから始まる型番のMOSFETをいろいろと取り寄せてみました。高価なものは購入できないので、すべて100円前後のものです。なお、すでにディスコン（製造中止）のものも含まれています。

※価格は、実際の購入価格で税込み。

　IRF510のリニアアンプ試作と同じ基板を使ってすべてのMOSFETを試してみました。ただ、Cissに応じて入力トランスのターン数を変えたり、スワンピング抵抗を入れたりして調整しています。また、出力側もトランスのターン数やマッチングコンデンサを調整して試しました。

　これらの中で安定したパワーが出たのがIRF530NとIRFZ24Nでした。IRF530Nは、こちらのキットで試しています。
　MOSFETの取り換えで試作基板のパターンが悪くなったので、あらためて基板を作成して、IRFZ24Nを評価してみます。回路は28MHzでの利用を想定して以下のとおりとしました。

　基板は、いつものようにPCBEでパターンを設計してCNCフライス盤で加工しました。

　基板に部品を実装しました。NFBのパターンも設けたのですが利用しません。30MHzのLPFを入れて、28MHzで5W入力すると51Wの出力が得られます。10dBの利得です。効率は60％と悪くありませんが、Pd45Wの石なので、これでほぼ限界です。ヒートシンクが裏向きの状態では発熱も厳しく、連続1分送信するとMOSFETの表面が90℃以上まで上昇します。

　同じ環境で14MHzと28MHzで入出力特性を見てみました。28MHzは、10Wを超えると緩やかに直線性が悪くなりますが、40W（46dBm）程度までは使えないことはありません。しかし、14MHzは、10Wを超えると明らかに直線性が悪くなります。
　また、周波数別の出力を入力1Wと2.5Wで見てみました（LPFなしで、値はスペアナで基本波読み取り）。低い周波数帯はパワーが出ますが頭打ちが早いので、HFマルチバンドのリニアアンプとするには、入力回路を考え直す必要があります。

　IRFZ24Nは、50MHzはターンオン（Ton）やターンオフ（Toff）の制限により厳しいと思われますが、HF帯なら問題なく利用できます。Pdが小さいことから、プッシュプルでの50W出力はギリギリなので放熱をしっかりと行う必要はあります。いろいろと使えそうなのでまとめ買いしました。